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IC-CAP PSP 模型萃取套件

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IC-CAP PSP 建模套件

 

第一個針對下一代 CMOS 裝置建模的完整建模解決方案。

安捷倫的 PSP 模型萃取套件 (85194PL) 是第一個問世的完整商用萃取工具,可支援最新版 Compact Modeling Council (CMC) 下一代標準 CMOS 模型(PSP 102.0 版已於 2006 年 6 月推出)。 » 詳細資訊

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PSP 模型萃取套件

此全新的萃取套件可與安捷倫的積體電路特性描述與分析程式 (IC-CAP) 軟體搭配使用,提供簡單易用介面以進行量測收集、建議的萃取流程以及模型建置。此架構讓您輕鬆製作以精確有效率的方式表示裝置製程的模型。

本套件是在開放而有彈性的 IC-CAP 軟體環境中與 AdMOS 合作開發而成。安捷倫亦與 AdMOS 合作開發具備高效率和靈活彈性的 IC-CAP BSIM4 模型萃取套件 (85194KL)。

PSP 模型萃取套件是安捷倫支援最新標準化 CMOS 模型的廣泛策略的一環。在安捷倫最近收購 Xpedion Design Systems 後,便計劃續聘原任的 PSP 模型開發專家 Dr. G. Gildenblat,以延續 PSP 模型開發和訓練的工作。

使用 PSP 模型萃取套件

您將發現,PSP 模型萃取套件的使用方式採取直覺式的程序。PSP 專屬的介面可引導您以合理而有效率的方式完成精確的 CMOS 模型。藉由整合 IC-CAP 的圖形分析介面、MultiPlot Studio 和自訂的 GUI,使建模工程師成為建模程序的一部份。

本套件可區分為兩個功能類別:一個用於量測,另一個用於萃取,讓您在必要時可分別執行此兩個程序。

套件特點

首先是統一的量測環境。此功能可讓您只需量測裝置一次,只要所需的資料是整個量測資料集的子集,即可在 PSP 模型和舊版模型(例如 BSIM4)中使用相同的資料。

其次,建置根據擷取自數家大型 CMOS 晶圓廠的晶圓代工製程資料所預先定義的萃取流程。如果您的萃取流程與預先定義的流程略有出入,本萃取套件為建模器提供靈活彈性,可依照您的特殊流程做修改。

套件設計

為進一步瞭解 PSP 模型萃取套件背後採用的策略和流程,請撥冗檢視下列投影片:

PSP 模型

隨著裝置幾何接近 65nm 或更小尺寸,BSIM4 模型無法處理日益增加的類比和 RF 應用。因此需要有更先進的建模解決方案。

Compact Modeling 業界已體認到傳統以臨界電壓為基礎的模型(例如 BSIM3 和 BSIM4)已達到其界限,應該由更精密的物理模型取而代之。

表面電位方式可對所有操作區進行以物理為基礎的建模,而且不針對模型收斂進行額外的概算。

PSP 模型是由賓州大學(現已移轉至亞歷桑那州立大學)與 Philips Research Laboratories(現在是 NXP Semiconductors)共同開發的一種先進表面電位模型(以電荷層為基礎)。

PSP 的主要特點包括:

  • 每個裝置幾何的局部參數均可放大,以取得整體參數
  • 在固有和外部模型模組中形成實體表面電位
  • 聚積區的實體和精確描述
  • 包含所有相關的小型幾何效應
  • Halo Implant 效應建模,包括長型裝置的輸出電導降低
  • 運動模型的庫侖散射 (Coulomb scattering) 和非普適性
  • 非奇異速度場可讓您對 RF 失真建模,包括互調效應 (IM3)
  • 完全 Gummel 平衡
  • 中點線性化可讓您對比例電路(例如 R2R 電路)精確建模
  • 量子力學修正
  • 多晶矽耗盡效應修正
  • GIDL/GISL 模型
  • 以表面電位為基礎的雜訊模型,包括通道熱雜訊、閃爍雜訊和通道引發的閘極雜訊
  • 先進的結模型,包括陷阱輔助隧穿、帶對帶隧穿和累增崩潰
  • 以 Spline Collocation 為基礎的 NQS 模型,包括所有終端電流
  • 應力模型

PSP Model 已獲 CMC 選定(2005 年 12 月)為下一代標準 CMOS 模型,以取代 BSIM4 模型。

價格與上市情況

PSP 模型萃取套件 (85194PL) 現已開放訂購,預計在本年度下半年出貨。IC-CAP 參數萃取軟體現已上市。請向您當地的 Agilent EEsof EDA 銷售工程師洽詢價格資訊。


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