IC-CAP PSP 模型提取包

PSP 模型提取包

这个与 Agilent 的集成电路特性和分析计划 (IC-CAP) 软件一起使用的新的提取包，为测量集合、建议提取流程和模型实现提供了一个易于使用的界面。使用这一结构可以很容易地生成将准确、有效地体现设备工艺的模型。

该包是在开放式的、灵活的 IC-CAP 软件环境中通过与 AdMOS 的合作而开发出来的。Agilent 还与 AdMOS 合作开发过高效、灵活的 IC-CAP BSIM4 模型提取包 (85194KL)。

PSP 模型提取包是 Agilent 用于支持最新的标准化 CMOS 模型的广泛策略的一部分。在 Agilent 最近收购 Xpedion Design Systems 之后，公司计划利用 PSP 模型开发者 Dr. G. Gildenblat 的专业技术，继续进行 PSP 模型开发和培训

使用 PSP 模型提取包

您将发现使用 PSP 模型提取包的过程非常直观。PSP 特定界面可以引导您通过合理、有效的途径获得准确的 CMOS 模型。通过吸收 IC-CAP 的图形分析界面、MultiPlot Studio 和自定义图形用户界面，建模工程师变成了建模工艺不可分割的一部分。

该包被划分为两个功能类别；一个用于测量，一个用于提取，这使得可以根据需要将这两个过程分开。

包特征

第一就是统一测量环境。通过使用该功能，只需进行一次设备测量，只要所需的数据是总体测量数据集的子集，就可以对 PSP 模型和较旧的模型（如 BSIM4）使用相同的数据。

第二是预定义提取流程的实施，该流程基于来自几个大型 CMOS 工厂的厂家工艺数据。如果提取与预定义流程有轻微的不同，提取包可以让制模工灵活地进行修改以符合特定工艺。

包设计

若要对 PSP 模型提取包后面的策略和流程有更好的理解，请花一点时间查看以下幻灯片：

• PSP 模型提取包 - 完整序列，8 个幻灯片
• 提取策略
• 用户界面
• 基本容量
• 局部模型提取 - 1
• 局部模型提取 - 2
• 可调整参数
• 微调整体模型
• STI 参数提取
• PSP 模型提取包 - PDF 版本 (2.0 MB)

PSP 模型

随着设备几何尺寸达到 65 纳米及更小，BSIM4 模型不再支持不断增长的模拟和射频应用。更加高级的建模解决方案已成为必需的。

传统的基于门限电压的模式（比如 BSIM3 和 BSIM4）已达到了极限并且应该由更加准确的基于物理的模型所代替，这一点已得到压缩建模领域的人们的广泛认同

基于表面电势的方法提供了对所有操作领域的基于物理的建模，且没有对模型收敛进行其他近似。

PSP 模型是一种高级的基于表面电势的模型（基于充电薄片模型），它是与 Pennsylvania State University（这方面的工作现在已转移到 Arizona State University）和 Philips Research Laboratories（现在称为 NXP Semiconductors）联合开发出来的。

PSP 的主要特征包括下列内容：

• 每个设备几何的局部参数可以向上进行扩展来获得全局参数
• 在内在的和外在的模型模块中的基于物理表面电势的公式化
• 聚积区的物理和准确描述
• 所有相关的小几何效应都包含在内
• Halo 注入效应的建模（包括长设备中的输出传导衰减）
• 移动性模型中的库仑散射和非普遍性
• 支持射频失真建模的非单一速度场关联（包括互调效应 (IM3)）
• 完整的 Gummel 对称
• 支持对基于比率的电路（例如，R2R 电路）的准确建模的中点偏差线性化
• 量子机械校正
• 多晶硅耗尽效应的校正
• GIDL/GISL 模型
• 基于表面电势的噪音模型（包括信道热噪音、闪变效应噪声和信道产生的栅极噪声）
• 高级联合模型（包括陷阱协助隧道效应、带间隧道效应和雪崩击穿
• 基于样条曲线集合的 NQS 模型（包括所有端接电流）
• 压力模型

2005 年 12 月，PSP 模型被 CMC 选择作为代替 BSIM4 模型的下一代标准化 CMOS 模型。

价格和可用性

PSP 模型提取包 (85194PL) 现已可以订购，预期在本日历年晚些时间发货。IC-CAP 参数提取软件现已提供。关于价格，请与您当地的 Agilent EEsof EDA 销售工程师联系。

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