日本

IC-CAP パラメータ抽出およびデバイス・モデリング・ソフトウェア

お問い合わせ窓口

IC-CAP モデリング・ソフトウェアは、今日の半導体業界向けに強力な特性評価および解析機能を提供します。

業界規格のモデリング･ルーチンにより、ユーザのモデル･ライブラリ用のモデル･パラメータを即座に抽出し、最適化することができます。

また、IC-CAP により、多くの種類のデバイスや回路に対するカスタムのモデル、特殊な抽出ルーチン、カスタマイズ可能なユーザ・インタフェースや統計解析を開発することができます。

IC-CAP 抽出モジュールは、弊社のビジネス･パートナーからも提供されています。

詳細情報については、以下のリンクをクリックしてください。

Product Information
Ordering and Configuration
Product Literature
Online Demos

Localized Versions
Worldwide	Korea	Taiwan	China

Product Information

製品ハイライト

効率的で、オープン、そして柔軟なソフトウェア環境および抽出方法
最先端の業界標準モデルを可能にする、完全な DC-RF 抽出ルーチン
独自のノンリニア高周波 Agilent ルート・モデル
使いやすいウィンドウ方式のユーザ・インタフェース
高度なデータの処理能力
多種測定器やシミュレータとのオープンインタフェース
完全に自動化されたハードウェア/ソフトウェア統合
Advanced Design System のシミュレータとの高速リンク
現実的なワーストケース・モデリングを可能にする独自の境界モデル
テクニカルトレーニングとサポート

高精度なパラメータ抽出と統計解析

IC-CAP (Integrated Circuit Characterization and Analysis Program) は、今日の半導体モデリングに必要な強力な特性評価および解析機能を備えたデバイス・モデリング・プログラムです。

IC-CAP は、デバイス・エンジニアや回路デザイナのために、測定器制御、データ収集、グラフィカル解析、シミュレーション、最適化、統計解析などのさまざまなモデリング・ニーズに応える最先端のモデリング・ソフトウェアを提供します。

これらのプロセスはすべて、柔軟で、直感的なソフトウェア環境に組み込まれており、アクティブ・デバイスや回路モデルのパラメータを効率的かつ正確に抽出できます。 IC-CAP にはまた、Agilent EEsof EDA やその他のシミュレータのためのモデル・ライブラリを構築する機能も備わっています。

IC-CAP と今日のモデリングの課題

変化の速い半導体業界は、製品の性能と歩留まりを最大化し、市場投入の時間を短縮し、製造コストを削減する課題に常に直面しています。デバイス形状の小型化が進むにつれて、正確なモデルを使用し、デバイスの処理性能の統計的バラツキを管理することがますます重要になります。今日のエンジニアは、高速化と帯域幅の拡大を常に要求されています。一般的な回路の動作周波数はますます上昇を続け、RF やマイクロ波の周波数レンジに入っています。正確で収束性のよい回路シミュレーションのためには、正確なデバイス・モデルが不可欠です。多くのアプリケーションにおいて、単に DC レベルで正確なモデルではすでに不十分です。 DC レベルだけでなく RF やマイクロ波の領域でもデバイスの動作を正確に予測できるモデルを、回路デザイナは必要としているのです。

さまざまなプロセス・テクノロジーの存在により、独自のプロセスにすばやく適応できる多様なモデルが求められています。モデリング・エンジニアが必要とするモデリング・ソフトウェアには、標準モデルで提供される範囲を超えてパラメータを修正、拡張できる柔軟性が必要とされています。性能を最適化し、バラツキを管理するために、デバイス・デザイナとプロセス・エンジニアは正確なモデルと統計解析機能を必要としています。回路デザイナにとっても、これらのツールは公称性能と極端な（ワーストケース）動作を知るために必要です。

課題を克服するために

IC-CAP のこの最新リリースは、これらの課題に取り組み、半導体企業の競争力を大幅に強化する効果があります。

正確な Agilent 独自モデルと業界標準モデル

IC-CAP には、正確なモデルと高度な統計解析機能の両方が装備されており、最新のモデル・ライブラリを構築して維持することができます。 IC-CAP を使えば、測定の自動化、デバイス性能のシミュレーション、データ抽出、モデル・パラメータの最適化、高度な統計解析、ワーストケース・モデルの生成を1つの環境で実行できます。

IC-CAP には、ダイオード、BJT、MOSFET、MESFET、HEMT、ノイズ、熱モデルなどの業界標準および Agilent 独自のモデルのための抽出ルーチンが用意されています。抽出モジュールには、完全な DC-RF パラメータ抽出機能が備わっています。さらに、IC-CAP は、サード・パーティが開発したモデルや抽出ルーチン、および様々な他のシミュレーション・ソフトウェア・パッケージをサポートしていますので、お客様の広範な要求に応えることができます。

プロセス制御のバラツキの最適化のために、IC-CAP には統計パッケージが用意されており、いくつかの統計的方法と、独自のノンパラメトリック境界モデリングによる現実的なワーストケース解析が可能です。

RF/マイクロ波モデリング機能

Agilent EEsof EDA のRFモデリングに関する専門知識が、当社のモデリング・システム構成と IC-CAP モデリング・ソフトウェアに活かされており、高周波デバイス・モデリングに携わる多くのエンジニアに選ばれています。

高周波の正確なモデリングには、信頼できる測定データが必要です。 RF/マイクロ波のテストと測定における強みを活かして、Agilent EEsof EDA は DC、LCRZ、RF 等のさまざまなモデリング・アプリケーションのためにシステム構成を用意しています。業界標準モデル用の IC-CAP 抽出モジュールには、RF 依存パラメータ抽出機能が含まれており、高周波回路シミュレーションに適合するモデルを生成することができます。

最も柔軟性の高いソフトウェア環境

IC-CAP はオープンで柔軟なソフトウェア・アーキテクチャで動作します。設定とマクロはすべてユーザが変更可能です。パラメータ抽出言語を使うことにより、独自のモデルまたは抽出方法を IC-CAP に直接組み込むことができます。 IC-CAP のオープンな測定インタフェースを使えば、独自の測定器ドライバをユーザが C 言語で作成して測定器を制御することができます。

当社のモデリング・システム構成と合わせて、IC-CAP は今日の半導体業界のための完全統合モデリング・ソリューションを提供します。

デバイス・モデリング構成

Agilent EEsof EDA は、IC-CAP で制御、および自動化された様々なデバイス・モデリング構成を推奨しています。正確なデバイス測定により、正確なデバイス・モデルの抽出が行なわれます。

詳細情報については、以下のリンクをクリックしてください。

Device Modeling Hardware Configurations

詳細...

Ordering and Configuration

購入方法

To request immediate sales assistance - for help choosing the best system; for product configuration and integration details; to request telephone assistance or an on-site demo of the software; or to request a price quotation - click on the following link:

Agilent EEsof EDA Sales Assistance

システム構成の詳細

Agilent EEsof EDA では、ハードウェア/ソフトウェア・モデリングの総合ソリューションを提供しており、技術およびご購入のヘルプがご利用可能です。

IC-CAP パラメータ抽出とデバイス・モデリング・システム構成の詳細、および使用可能な抽出モジュールの説明については、以下のリンクをクリックしてください。

Product Literature

IC-CAP Device Modeling Software Release 2006 (PDF, 4.2 MB) 28ページの製品概要。 2006年3月20日。
IC-CAP Device Modeling Software Release 2004 (PDF, 3.2 MB) 28ページの製品概要。 2004年12月9日。
Agilent 85194K IC-CAP BSIM4 Modeling Package (PDF, 2.6 MB) 8ページの製品概要。 2005年6月28日。

Online Demos

オンライン製品デモ

Automated BSIM4 Model Extraction Improves Efficiency and Productivity
(5分49秒)

Optimization made easy with the Plot Optimizer
(5分59秒)

Publications and Comments

記事

Joe Civello, Addressing the challenges of RF device modeling for successful high-frequency design, Microwave Engineering Europe, December 2003/January 2004. 最新号: Microwave Engineering Europe.
Frederic Hameau and Olivier Rozeau, CEA/LETI, Radio-Frequency Circuits Integration Using CMOS SOI 0.25 µm Technology (PDF, 436 KB). 6ページの技術論文。
Frederic Hameau and Olivier Rozeau, CEA/LETI, Radio-Frequency Circuits Integration Using CMOS SOI 0.25 µm Technology (PDF, 1.7 KB). 30枚のスライド。
C. Y. Su, et al., An Automatic Macro Program for Radio Frequency MOSFET Characteristics Analysis, Microwave Journal, October 2001. PDF Version (109 KB). 最新号: Microwave Journal.
Tzung-Yin Lee, et al., A Scaleable Model Generation Methodology of Bipolar Transistors for RF IC Design (PDF, 205 KB). 2001年10月2日に米国ミネソタ州ミネアポリスで行われた 2001 IEEE Bipolar/BICMOS Circuits and Technology Meeting で発表された4ページの技術論文。
Dr. Franz Sischka, Applying Nonlinear RF Device Modeling To Verify S-Parameter Linearity (PDF, 386 KB). 17ページの技術論文。 European Microwave Week, September 2001.
Mark Dunn and Bob Schaefer, Isothermal Measurements and Modeling with Pulsed Modeling System (PDF, 1.5 MB)
Dr. Franz Sischka, Advanced Nonlinear Device Modeling Beyond Linear S-parameters (PDF, 390 KB)
Dan Stoneking, Agilent Technologies, Improving the manufacturability of electronic designs, IEEE Spectrum, June 1999.

プレス資料

IC-CAP ユーザーズ・カンファレンス資料

Dr. Klaus Kelting, Infineon Technologies AG, Munich, Germany, Parameter Extraction Using IC-CAP 5.3 (PDF, 1.5 MB)
Dr. Andries Scholten, et al., Philips Research Laboratories, Eindhoven, The Netherlands, RF CMOS Parameter Extraction and Model Verification Using IC-CAP (PDF, 1.3 MB)
Roberto Tinti, et al., 1/f Noise Parameter Extraction and Measurement System Solution (PDF, 570 KB)
Dr. Fujiang Lin, et al., Extraction of VBIC Model for SiGe HBTs Made Easy by Going Through Gummel-Poon Model (PDF, 2.0 MB)

お客様の評価と成功事例

IC-CAP Customer Comments

User Support

Webcast Archive

Agilent World-Wide IC-CAP Users' Tech Forum Webcast: 2002年12月18日

2002年開催の World-Wide IC-CAP Users' Tech Forum は、2時間のウェブ放送で構成されました。 WebEx の全記録（スライドと録音）が現在、ご利用可能です。更に、スライド毎に、それぞれ PDF ファイルでご利用いただけます。

この年次カンファレンスの目的は、 IC-CAP を使用して革新的なデバイス・モデリングおよび特性評価のソリューションを共有すると共に、IC-CAP の使用を促進することです。このイベントにより、他のユーザとデバイス・モデリングの経験を共有すると共に、他のユーザが IC-CAP でどのようなアプリケーションを実行しているかを知る重要な機会を得ることができます。

議題。 このウェブ放送で紹介された論文は、以下に一覧表示されています。ウェブ放送の WebEx アーカイブをご覧いただくには、以下のリンクをクリックしてください。

WebEx Archive Files: 2002 IC-CAP Users' Tech Forum

Webcast: 2002年12月18日
8:00 AM - 8:45 AM

The HICUM Aperitif Toolkit For Bipolar Compact Modeling
Dr. Bertrand Ardouin, founder of a new company, XMOD Technologies, Bordeaux, France.

PDF File (985 KB), 27枚のスライド。

本稿では、IC-CAP 環境でのパラメータ抽出方法に重点をおいて、バイポーラ HICUM モデル関連の先進的なテーマを取り上げています。Ardouin 博士は、SPICE-GP モデルから HICUM モデルへの移行をスムーズに行なうために、XMOD テクノロジーにより開発された HICUM Aperitif ツールキットを紹介しています。

このツールキットの意図は、ハイレベルのスケーラブル・モデル・パラメータを生成する前に、単一形状のトランジスタ用 HICUM モデル・パラメータのユーザフレンドリーな抽出ルーチンをモデリング・エンジニアに提供することです。

8:45 AM - 9:30 AM

The BSIM3 Device Modeling Package Revisited
Dr. Thomas Gneiting, the founder of Advanced Modeling Solution, Stuttgart, Germany.

PDF File (684 KB), 35枚のスライド。

Gneiting 博士は、以下の新機能が搭載された BSIM3 パラメータ抽出ツールキットの拡張版を紹介しています。

IC-CAP Studio を使用したユーザ・インタフェースの再設計。
BSIM4 モデリング・パッケージと互換性のある拡張データベース。
新規の完全スケーラブル RF マクロモデル。

ユーザが非常に高い柔軟性と簡便な方法により、独自に最適化を行うことが可能な新しい微調整の方法が、一例として紹介されています。

9:30 AM - 10:00 AM

IC-CAP studio application example: The Corner Model Generator
Dr. Zheng Zeng, Device Modeling Manager, UMC, Sunnyvale, CA, USA.

PDF File (736 KB), 13枚のスライド。

IC-CAP Studio は 2001年の導入以来、IC-CAP ユーザにとって素晴らしい、最新のツールであり続けてきました。デバイス・モデリング・プロセスおよび方法に対するグラフィック・ユーザ・インタフェースの開発をカスタマイズできる機能があるからです。

このプレゼンテーションで、Zheng Zeng 博士は、精密にデザインされたコーナー・モデル・ジェネレータを紹介しています。非常に直感的で、同僚間で活用できます。それは、GUI の見事に構成されたネットワークであり、例えば、IC-CAP 関数の実行を可能にして、マウスをクリックするだけで変換します。

Zheng Zeng 博士と同僚達が IC-CAP studio を使用して開発した GUI は、コーナー・モデルの作成プロセスを更に解りやすく、使いやすいものにしています。その例によって、ご自身の業務に活用するだけでなく、他の人の処理時間を短縮すると共に、プロセス・フローを理解しやすくする、IC-CAP Studio のパワーがわかります。

Agilent World-Wide IC-CAP Users' Tech Forum Webcasts: 2001年12月10日～13日

2001年開催の年次 World-Wide IC-CAP Users' Conference は、4つの世界的規模のウェブ放送で構成されました。 WebEx の全記録（スライドと録音）が現在、ご利用可能です。最初の3つのウェブ放送は、90分です。もう1つは、45分です。

議題。それぞれのウェブ放送で紹介された論文は、以下に一覧表示されています。これらのウェブ放送の WebEx アーカイブをご覧いただくには、以下のリンクをクリックして別のウィンドウを開いてください。

WebEx Archive Files: 2001 IC-CAP Users' Tech Forum

Webcast 1: 2001年12月10日 8:00 AM - 8:45 AM	MEXTRAM 504 Model Extraction - Dr. J. C. J. Paasschens, Philips Research Laboratories, Eindhoven, The Netherlands.
8:45 AM - 9:30 AM	Using IC-CAP with ADS Models - Dr. Walter Curtice, W. R. Curtice Consulting, Washington Crossing, PA, USA.
Webcast 2: 2001年12月11日 8:00 AM - 8:45 AM	EKV Model V. 2.6 and Extraction Methodologies - Dr. Wladek Grabinski, Motorola, Inc., Geneva, Switzerland.
8:45 AM - 9:30 AM	IC-CAP BSIM4 Modeling - Dr. Thomas Gneiting, Advanced Modeling Solution, Stuttgart, Germany.
Webcast 3: 2001年12月12日 8:00 AM - 8:45 AM	MOSFET SP Model - Professor Gennady Gildenblat, Pennsylvania State University, State College, PA, USA.
8:45 AM - 9:30 AM	Parameter Extraction for the Surface-Potential Based Compact MOS Model 11 - Dr. R. van Langevelde, Philips Research Laboratories, Eindhoven, The Netherlands.
Webcast 4: 2001年12月13日 8:00 AM - 8:45 AM	An IC-CAP Toolkit for HICUM Model Parameter Extraction - Dr. Thomas Zimmer and Bertrand Ardouin, University of Bordeaux, Talance, France.

お客様の教育

World-wide Support and Training

製品マニュアル

IC-CAP 2008: KnowledgeCenter | Release Notes | Installation and Customization Guide
IC-CAP モデリング・スイート・マニュアル： 2001 | 2002 | 2004 | 2006
IC-CAP Characterization & Modeling Reference (2002年5月)
Agilent 85225F Performance Modeling System Installation and User's Guide (PDF, 2 MB)

ページの先頭に戻るページ印刷用フォーマットこのページを電子メールで送信

	Agilent EEsofへの問合せ
	Agilent EEsof EDA

	製品情報
	サポートとサービス
	アプリケーション／サンプル
	カスタマ教育
	製品ドキュメント
	オンライン製品デモ
	ニュースとイベント

	ニュースレターの購読
	サイトのヘルプ